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1. 2025年碳化硅（SiC）衬底价格大幅下跌

2025年，碳化硅（SiC）衬底价格预计将大幅下跌，标志着功率半导体材料领域的一大变革。此前持续的高需求和供应紧张局面已演变为当前的供应过剩问题。

2. 主流6英寸SiC晶圆衬底价格暴跌至成本水平以下

据悉，主流6英寸SiC晶圆衬底的市场价格已在2025年第四季度暴跌至400~450美元，远低于此前的水平。500美元通常被视为生产成本水平。业内分析认为，供应过剩和激烈的市场竞争是造成此次暴跌的原因。

3. 中国供应商价格战加剧，国际IDM获得优惠协议

消息人士透露，一线中国供应商为争夺市场份额而展开激烈的价格战，小制造商也加入竞争，导致市场动荡。这种竞争环境增强了全球买家的议价能力，博世和英飞凌等主要国际IDM获得了更具优势的价格协议。

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4. 中国碳化硅衬底价格下跌幅度大于全球市场

与全球市场相比，中国碳化硅衬底价格的下跌更为明显。国际供应商针对主流产品6英寸碳化硅衬底的报价仍维持在750~800美元之间，而中国制造商的价格与国际市场的差距已扩大至30%左右。这一差异反映了中国市场的激烈竞争以及中国制造商在成本控制和产能扩张方面的优势。

5. 中国供应商进入国际IDM供应链，但IDM仍谨慎

山东天岳、天科蓝科、三安等中国一线供应商已进入国际IDM厂商的功率器件供应链。然而，IDM对新供应商关系仍持谨慎态度。欧洲、美国和日本制造商仍然优先考虑供应链的稳定性和安全性。

6. 行业整合可能提前至2025年中期

业内人士预计，本来应在2026年左右到来的SiC衬底行业整合浪潮，由于价格战的加剧，可能会提前至2025年中期。（校对/李梅）

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