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英特尔抢先用新EUV 台积电考量成本效益策略大不同
2025-04-30
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台积电、英特尔和三星在制程技术上的竞争一直备受关注。英特尔计划在2026年量产18A时引入高数值孔径极紫外光技术，而台积电在2028年量产A14制程时仍不打算采用这种技术，显示两家公司的策略差异显著，台积电主要是基于成本效益的考虑。
英特尔前执行长季辛格（Pat Gelsinger）曾表示，反对使用艾司摩尔（ASML）的极紫外光（EUV）设备是错误的决策，导致英特尔晶圆代工事业缺乏竞争力。因此，英特尔与台积电在引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备上的进展成为外界关注的焦点，被视为双方竞争制程技术的重要指标。
台积电在去年的技术论坛上宣布A16制程不会采用High-NA EUV设备。全球业务资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，虽然他欣赏High-NA EUV设备的性能，但不喜欢它的高昂价格。
英特尔则传出已订购了ASML当年预计制造的所有5台High-NA EUV设备，与台积电的策略形成鲜明对比，引起了广泛关注。
台积电在最近的技术论坛上进一步确认A14制程也不会采用High-NA EUV设备；与此同时，英特尔计划在2026年量产18A时引入High-NA EUV技术，再次引发热议。
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张晓强解释说，台积电在每代制程技术上都努力将光罩的增加数量控制在最低，这对成本效益至关重要。A14制程不采用High-NA EUV设备的关键在于成本效益；如果使用High-NA EUV技术，制程成本可能会比传统EUV高出2.5倍。
据半导体业者透露，台积电和三星在采用环绕闸极（GAA）架构的策略上也有显著差异。台积电决定在今年下半年量产的2奈米制程才改用GAA架构，而三星则在3奈米制程时就已采用GAA架构。
业者指出，原本预期三星在GAA架构上的经验会使其在2奈米制程上超越台积电，但台积电在3奈米制程上的稳定性高，充分把握了近几年的AI市场机遇，2奈米制程也进展顺利，预计将在今年下半年如期量产，并继续保持领先地位。因此，单凭英特尔抢先使用High-NA EUV技术，尚不足以断言英特尔能重新夺回领导地位。
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