新闻中心 
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04-02中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展中国科学技术大学杨树教授和龙世兵教授团队在GaN器件抗辐射研究方面取得重大突破，成功研制出可在高能质子辐照下保持1700V以上击穿电压和导电率调控能力的垂直型G...
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02-23有机自旋电子器件磁响应信号调控研究获进展中国科学院国家纳米科学中心孙向南团队在室温有机自旋电子学器件研究中取得突破性进展。该团队利用电光补偿策略，成功实现了室温下器件磁响应信号的宽范围调控，并拓展了其...
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12-24基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200VSiCMOSF...
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12-18相控阵雷达tr组件 相控阵雷达tr组件原理TR组件是相控阵雷达系统中用于发射和接收信号的关键电子器件，它通过开关来在发送和接收模式间切换。TR组件的工作步骤包括：发射模式下将信号传输到天线，接收模式下将...
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11-27VIVO“电子设备”专利获授权天眼查显示，维沃移动通信有限公司近日取得一项名为“电子设备”的专利，授权公告号为CN115394195B，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2022年...
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11-24突破晶体管功耗难题的新希望光学声子软化：从双刃剑到新理论1.传统认知：双刃剑光学声子软化是晶体中一种重要的现象，与介电常数、相变和热导率等领域相关。然而，传统理论认为，光学声子软化会同时...
