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06-23
中国科学院在亚纳秒级超快MRAM领域取得重要科研进展
近年来，磁随机存储器（MRAM）因其出色的性能受到工业界与学术界的广泛关注。然而，受限于物理尺寸难以缩小至DRAM/NAND水平、写入速度无法达到SRAM（小于...
12-24
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200VSiCMOSF...
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